НИИ  КНС
ЦЕЛЬ 
МОЩЬ РОССИИ БУДЕТ ПРИРАСТАТЬ КНС ПРИБОРАМИ
ЗАДАЧИ 
ОБОБЩЕНИЕ МИРОВОГО ОПЫТА ПО КНС
УБЕДИТЬ В НЕОСПОРИМЫХ ПРЕИМУЩЕСТВАХ КНС .НАПРИМЕР В РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ
  АНАЛИЗ РАЗРАБОТКИ . ПРОИЗВОДСТВА И  ПРИМЕНЕНИЯ
КАЖДАЯ ГРУППА РАБОТАЕТ ПО СЛЕДУЮЩЕМУ ПРАВИЛУ
ПРИНОСИТЬ ПОЛЬЗУ РОССИИ
 РАЗВИВАТЬ ТЕХНОЛОГИИ КНС 
ПРИНОСИТЬ ПОЛЬЗУ АВТОРАМ
НАШУ ПОЗИЦИЮ  ПО КНС  МЫ ИЗЛОЖИЛИ В ФИЛЬМЕ
https://youtu.be/ZDeBNA6qm6g


НАЦИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА 
5 МИЛЛИАРДОВ ПРИБОРОВ НА КНС
СНИЗИТЬ ЦЕНУ НА КНС ПРИБОРЫ НИЖЕ  ОСТАЛЬНЫХ(КРЕМНИЙ.АРСЕНИД ГАЛЛИЯ..НИТРИД ГАЛЛИЯ И ДР)
1.ЗАКАЗЫВАТЬ В СТАВРОПОЛЕ ГИГАНТСКИЕ ОБЪЕМЫ САПФИРОВЫХ ПОДЛОЖЕК И ЖЕСТКО ТРЕБОВАТЬ СНИЖЕНИЯ ЦЕНЫ-ИСПОЛНИТЕЛЬ ГОЛОВНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ ПО КНС
2 ДОБИТЬСЯ ОТ РАЗРАБОТЧИКОВ ЗАКАЗЫВАТЬ ГИГАНТСКИЕ ОБЪЕМЫ КНС - ПРИБОРОВ
3 .ЗАКАЗЫВАТЬ ГИГАНТСКИЕ ОБЪЕМЫ МИКРОСХЕМ И АВТОМАТИЧЕСКИ РАСТИТЬ ВЫХОД ГОДНЫХ И НАДЕЖНОСТЬ ПРИБОРОВ И СНИЖЕНИЕ ЦЕНЫ
4  ПЕРЕХОД К БОЛЬШИМ ДИАМЕТРАМ ПЛАСТИН И  СНИЖЕНИЕ ЦЕНЫ КНС ПРИБОРОВ
5. ВНЕДРЕНИЕ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТНОСТИ ПО РАЗРАБОТКЕ ТИТОВА
6 ВНЕДРЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ДОКТОРСКОЙ ДИССЕРТАЦИИ АДОНИНА  НЕ МЕНЕЕ ЧЕМ ПО 35 ПУНКТАМ В ПЕРВУЮ ОЧЕРЕДЬ БЕССПОРНОЕ ПРЕИМУЩЕСТВО КНС ДЛЯ РАДИОННО СТОЙКИХ ПРИБОРОВ.
ЧЕРЕЗ ДИССЕТАЦИЮ АДОНИНА СТРОГО ПОКАЗАТЬ АБСОЛЮТНОЕ ПРЕИМУЩЕСТВО КНС ПЕРЕД КРЕМНИЕМ НА ОКИСЛЕ
7 РЕШИТЕЛЬНО ПОДНИМАТЬ КУЛЬТУРУ  ПРОИЗВОДСТВА КНС И КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРОВ. ПОСТАВИТЬ НА ЛИНЕЙКЕ КОНТРОЛЬНЫЕ СТАНДАРТНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СХЕМЫ ПОДКЛЮЧАТЬ  ЧЕРЕЗ НИИ САПФИР  САМЫЕ ВЫДАЮЩИЕСЯ ПРЕДПРИЯТИЯ
8. ПЕРЕХОДИТЬ К СХЕМАМ МЕНЬШЕГО ТОПОЛОГИЧЕСКОГО РАЗМЕРА
9 НА КНС ПРИБОРАХ С ОДНИМИ ПАРАМЕТРАМИ ИМЕТЬ КРИСТАЛЛ НА 40% МЕНЬШЕ ЧЕМ НА КРЕМНИИ
10 ЗА СЧЕТ ТОГО .ЧТО ТЕХНОЛОГИЯ БИС КНС ЭТО УПРОЩЕННАЯ ТЕХНОЛОГИЯ  КРЕМНИЯ  СНИЖАТЬ ЦЕНУ НА КНС ПРИБОРЫ
10 НА ОСНОВЕ ЗНАНИЯ ПАРАМЕТРОВ САПФИРА.СОЗДАВАТЬ ПРИБОРЫ НА КНС  НЕДОСТУПНЫЕ ДЛЯ ДРУГИХ МАТЕРИАЛОВ. НАПРИМЕР МОНОЛИТНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ОПТРОН ПО ПАТЕНТУ ТИТОВА И АДОНИНА 
11 ВМЕСТО КРЕМНИЕВЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ЛИНЕЕК ВНЕДРЯТЬ ЛИНЕЙКИ НА КРЕМНИИ И КНС.КАК НА АНГСТРЕМЕ И НА МИКРОНЕ
12  В ПОЛНОМ ОБЪЕМЕ УЧЕСТЬ  ОПЫТ РАБОТЫ ФИРМЫ ПИРИГРАЙН  И ИСПОЛЬЗОВАТЬ РАЗВЕДЫВАТЕЛЬНЫЙ ФИЛЬМ АДОНИНА ПО АМЕРИКАНСКОЙ ТЕХНОЛОГИИ КНС ПРИБОРОВ
ЗНАТЬ  В КАКИЕ СТРАНЫ АМЕРИКАНЦЫ ПРОДАЛИ СВОЮ ТЕХНОЛОГИЮ КНС ПРИБОРОВ
КАТЕГОРИЧЕСКИ НЕ ДОПУСКАТЬ К РАЗРАБОТКЕ СПЕЦИАЛИСТОВ.КОТОРЫЕ ДЕТАЛЬНО :НЕ ИЗУЧИЛИ АМЕРИКАНСКИЙ ОПЫТ.НАПРИМЕР ЗАПУСК  ВОЯДЖЕРОВ
13.КНС-ЭТО ФОТОННАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ ДЛЯ МИКРОСХЕМ И СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ  В КОСМОСЕ И ПРИ ЗЕМНОЙ РАДИАЦИИ В СПЕЦ УСЛОВИЯХ
14 МЫ НЕ ТОЛЬКО ДОГОНИМ АМЕРИКАНЦЕВ НО УЖЕ ИХ ОПЕРЕЖАЕМ
А.    ТРАНЗИСТОР ПО ПАТЕНТУ АДОНИНА
Б.    ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ОПТРОН ПО ПАТЕНТУ ТИТОВА И АДОНИН
В.  ТЕХНОЛОГИЯ КОНТРОЛЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ АДОНИНА И ТИТОВА
Г.  ТЕХНОЛОГИЯ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТОВ КРИСТАЛЬНОГО ПРОИЗВОДСТВА ТИТОВА
Д. БРЮССЕЛЬСКАЯ ПРЕМИЯ АДОНИНА ЗА КНС ИЗДЕЛИЕ
15 НЕХОРОШИЕ ЛЮДИ ДАВАЛИ ХОРОШИЕ ГОСУДАРСТВЕННЫЕ ДЕНЬГИ НА НИКУДЫШНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
КАЖДОГО СОТРУДНИКА. ОТВЕЧАЮЩЕГО ЗА ТРАТУ ГОСУДАРСТВЕННЫХ ДЕНЕГ ПО  ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПРИБОРАМ АТТЕСТУЕМ ПО ЗНАНИЮ:
РЕШЕНИЕ ПО ТЕХНОЛОГИИ КНС 4Х МИНИСТРОВ
ДИССЕРТАЦИИ АДОНИНА
40 000 ДОКУМЕНТОВ ФИРМЫ ПИРИГРАЙН
180 ПАТЕНТОВ ФИРМЫ ПИРИГРАЙН
ТЕХНОЛОГИЯ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТНОСТИ ТИТОВА
ОБРАЗЦЫ ФИРМЫ ПИРИГРАЙН. КУПЛЕННЫЕ В САНТ- ПЕТЕРБУРГЕ
КУДА ФИРМА ПИРИГРАЙН ПОСТАВЛЯЕТ 3.5 МИЛЛИАРДА СВОИХ ПРИБОРОВ НА КНС
ВСЯ ИНФОРМАЦИЯ ПО РАДИАЦИОННО-СТОЙКИМ И СВЧ ПРИБОРОВ
ЗНАТЬ180 ПАТЕНТОВ ПО КНС ФИРМЫ ПИЛИГРАЙН
15   ИСТОЧНИК ФИНАНСИРОВАНИЯ
СРЕДСТВА ПРЕДПРИЯТИЙ .КОТОРЫЕ НЕЗАКОННО ИСТРАТИЛИ ГОСУДАРСТВЕННЫЕ СРЕДСТВА НА ОЧЕВИДНО ПРОВАЛЬНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ПОСЛЕ ВЫХОДА В 1998 ГОДУ РЕШЕНИЯ  4Х МИНИСТРОВ И  В 2003 ГОДУ ДИССЕРТАЦИИ АДОНИНА
16. ВСЕ ЗАКАЗЫ ПО ПРИБОРАМ НА КНС ДОЛЖНЫ ПОСТУПАТЬ НА ГОЛОВНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ.КОТОРОЕ РАСПРЕДЕЛЯЕТ ВЫПОЛНЕНИЕ ОПЕРАЦИЙ НАЦИОНАЛЬНЫМ РОССИЙСКИМ ПРЕДПРИЯТИЯМ
17. РЕАЛИЗАЦИЯ ПРОГРАММЫ ПОЗВОЛИТ
НА РАКЕТАХ И КОСМИЧЕСКИХ КОРАБЛЯХ  ОБЕСПЕЧИТЬ  МАКСИМАЛЬНО ДОСТИЖИМЫЙ УРОВЕНЬ ПО РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ И СТОЙКОСТИ ПО ИМПУЛЬСУ .РЕШИТЬ ЗАДАЧУ ПО ЭТИМ ПАРАМЕТРАМ ПЕРЕГНАТЬ США НЕ МЕНЕЕ ЧЕМ НА 20%
РОССИЙСКУЮ СВЧ ТЕХНИКУ ДЛЯ ВОЕННЫХ И ГРАЖДАНСКИХ ВЫВЕСТИ НА КАЧЕСТВЕННО НОВЫЙ УРОВЕНЬ
НАШУ ЭЛЕКТРОННУЮ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ СДЕЛАТЬ НА МИРОВОМ УРОВНЕ КОНКУРЕНТНО-СПОСОБНОЙ
КАРДИНАЛЬНО РАСШИРИТЬ ЭКСПОРТ ИЗДЕЛИЙ С КНС ПРИБОРАМИ 
18 НАЦИОНАЛЬНЫЕ ПРОИЗВОДИТЕЛИ  
ПО САПФИРОВЫМ ПОДЛОЖКАМ
ПО КНС СТРУКТУРАМ
ПО КРИСТАЛЛУ
ПО СБОРКЕ 
СООБЩАЮТ ГОЛОВНОЙ ОРГАНИЗАЦИИ  ЦЕНУ НА
1 ИЗДЕЛИЕ
100 ИЗДЕЛИЙ
1000 ИЗДЕЛИЙ
10 000 ИЗДЕЛИЙ
1 000 000 ИЗДЕЛИЙ
10 000 000 ИЗДЕЛИЙ
1 000 000 000 ИЗДЕЛИЙ
ГОЛОВНАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ ПО ПРИБОРАМ КНС
ПО РЕЗУЛЬТАТАМ РАССМОТРЕНИЯ ПРЕДЛОЖЕНИЙ  ОТ НАЦИОНАЛЬНЫХ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ ПО ВСЕМ ПЕРЕДЕЛАМ ВЫБИРАЕТ  ГОЛОВНУЮ ОРГАНИЗАЦИЮ ПО ДАННОМУ ПЕРЕДЕЛУ И КАК ПРАВИЛО ГОЛОВНОЙ НАЦИОНАЛЬНОЙ ОРГАНИЗАЦИИ ДАЕТ КОНТРАКТЫ ПО СООТВЕТСТВУЮЩЕМУ ПЕРЕДЕЛУ
19. ГОЛОВНАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ ГАРАНТИРУЕТ ПО СВОЕМУ ИЗДЕЛИЮ РАДИАЦИОННУЮ СТОЙКОСТЬ 1 МЕГАРАД 
МЫГАРНТИРУЕТМ РЗРАБОТКИ И ПОСТАВКИ ЛЮБОГО КОЛИЧЕСТВА КНС   ПРИБОРОВ  ЛЮБОЙ СЛОЖНОСТИ  ПОЛНОСТЬЮ ОТЕЧЕСТВЕННОГО ПРОИЗВОДСТВА
19 б   В 1999 ГОДУ В СООТВЕТСТВИИ С УКАЗАНИЕМ 1ОГО ЗАМ. ПРЕДСЕДАТЕЛЯ СОВЕТА МИНИСТРОВ РФ МИНИСТР ОБОРОНЫ. МИНИСТР ЭКОНОМИКИ .МИНИСТР АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ.ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР РОССИЙСКОГО КОСМИЧЕСКОГО АГЕНСТВА И НАЧАЛЬНИКА  ВООРУЖЕНИЙ ВС РФ  ПРИЗНАЛИ  ТЕХНОЛОГИЮ КНС КРИТИЧЕСКОЙ ТЕХНОЛОГИЕЙ ФЕДЕРАЛЬНОГО УРОВНЯ И УСТАНОВИЛИ ГОЛОВНЫМ НИИ САПФИР
20 ВСЕ МАТЕРИАЛЫ ПО КНС РАСПРОСТРАНЯТЬ ВО ВСЕХ 90 ЗАИНТЕРЕСОВАННЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ 
 ТРЕБОВАТЬ ОТ РУКОВОДСТВА СТРАНЫ АДМИНИСТРАЦИИ ПРЕЗИДЕНТА .ФСБ ВПК .МИНИСТЕРСТВА ОБОРОНЫ. СЧЕТНОЙ ПАЛАТЫ НИЖНЕЙ И ВЕРХНЕЙ ПАЛАТЫ И ОБЩЕСТВЕННОЙ ПАЛАТЫ КОНСТРУКТИВНОЙ РЕАКЦИИ НА НАШИ ПРЕДЛОЖЕНИЯ
21 САМАЯ ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ  И САМАЯ НИЗКАЯ ЦЕНА НА ПРИБОРАХ С МАКСИМАЛЬНЫМ ВЫХОДОМ ГОДНЫХ ПО КРИСТАЛЛУ  .НА ЭТО НАПРАВЛЕНА МЕТОДИКА ТИТОВА ПО ВЫЯВЛЕНИЮ ДЕФЕКТОВ В ТЕХНОЛОГИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ
22 СОЗДАННЫЙ НАМИ НАУЧНЫЙ КОЛЛЕКТИВ НА ОСНОВЕ 106 УНИКАЛЬНЫХ СВОЙСТВ САПФИРА СОЗДАЕТ ТЕОРЕТИЧЕСКУЮ БАЗУ СОЗДАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С  РАНЕЕ НЕДОСТИЖИМЫМИ ПАРАМЕТРАМИ
23 ЗАДАЧА ИСПРАВИТЬ ОШИБКИ .КОТОРЫЕ СОВЕРШИЛИ ОРГАНИЗАЦИИ ВЫДАВШИИЕ ДЕНЬГИ НЕ  НА КНС
ИСПРАВИТЬ ОШИБКИ ОРГАНИЗАЦИЙ ..КОТОРЫЕ ВМЕСТО КНС  ПОСТАВИЛИ НЕКУДЫШНЫЕ МИКРОСХЕМЫ СО СВИНЦОВЫМИ КОЛПАЧКАМИ В ОТВЕТСТВЕННЫЕ ИЗДЕЛИЯ
ИСПРАВИТЬ ПОДЛОГ .КОТОРЫЙ СОВЕРШИЛИ ОРГАНИЗАЦИИ ПОТРЕБИТЕЛИ ГОСУДАРСТВЕННЫХ ДЕНЕГ  В СВОЕМ ОБОСНОВАНИИ НА ПОЛУЧЕНИЕ ДЕНЕГ.ДАВШИХ ЗАВЕДОМО ЛОЖНЫЕ СВЕДЕНИЯ  О КНС ТЕХНОЛОГИИ. ПОЛНОСТЬЮ ИСКЛЮЧИТЬ ИЗ ВОЕННОГО ПРИМЕНЕНИЯ  МИКРОСХЕМ НА КРЕМНИИ НА ОКИСЛЕ.ЗАМЕНИВ ИХ НА КНС
24 ПОКА УТВЕРЖДЕНИЯ АДОНИНА И СОРОВА  В ДИССЕРТАЦИИ АДОНИНА НИКТО НЕ ОПРОВЕРГ.БУДЕМ ДИССЕРТАЦИЮ АДОНИНА ПРИНИМАТЬ КАК ОФИЦИАЛЬНУЮ ПОЗИЦИЮ РОССИИ
25 .ДЛЯ ИНФОРМАЦИИ  ДАНЫ ПАТЕНТЫ ТИТОВА И АДОНИНА ПО ПРОБЛЕМЕ КНС
1155129
1124806
1190852
1098464
1676849
1507137
1295959
1842410
1251756
1316503
702973
25 НЕ ДАВАТЬ ПРОТАЛКИВАТЬ В ОТВЕТСТВЕННЫЕ ИЗДЕЛИЯ КОСМИЧЕСКИЙ МУСОР НА КРЕМНИИ СО СВИНЦОВЫМИ КОЛПАЧКАМИ
26 У САПФИРА -АДОНИНА  ТРИ ТЕХНОЛОГИИ 0.6  .0.3 .И 0.1 С ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЕЙ И ОНИ ЛЮБОМУ ЗАКАЗЧИКУ ПОДБЕРУТ ОПТИМАЛЬНУЮ ОТЕЧЕСТВЕННУЮ ТЕХНОЛОГИЮ
27. ЧЕЛОВЕЧЕСТВО ОТ БРОНЗОВОГО ВЕКА ПЕРЕШЛО К ЖЕЛЕЗНОМУ ВЕКУ
ЧЕЛОВЕЧЕСТВО ОТ КРЕМНИЕВЫХ МИКРОСХЕМ ПЕРЕЙДЕТ НА КНС
28 НА ПОЛЕ БОЯ МОЖЕТ ПРОИЗОЙТИ ЯДЕРНЫЙ ВЗРЫВ  С ДОЗОЙ И ИМПУЛЬСОМ И ТАМ СПАСУТ ТОЛЬКО КНС ПРИБОРЫ
29 РОБОТЫ МЧС БУДУТ ДЕРЖАТЬ РАДИАЦИЮ НА КНС ПРИБОРАХ
30. СЕГОДНЯ  УЖЕ 51 ОРГАНИЗАЦИЯ ПОНЯЛА ПРЕИМУЩЕСТВА КНС ТЕХНОЛОГИИ И ВЕДЕТ   ПЕРЕГОВОРЫ О ПОСТАВКАХ КНС ПРИБОРОВ С ГОЛОВНОЙ ОРГАНИЗАЦИЕЙ ПО КНС-НИИ САПФИР   
КАК ПОКАЗАНО В РЕШЕНИИ 4Х МИНИСТРОВ И ДИССЕРТАЦИИ АДОНИНА 
КНС ТЕХНОЛОГИЯ ЯВЛЯЕТСЯ КРИТИЧЕСКОЙ ФЕДЕРАЛЬНОГО ЗНАЧЕНИЯ
31 РАСПРОСТРАНЯТЬ ИНФОРМАЦИЮ О КНС ТЕХНОЛОГИ И ЕЕ ТРЕХ КИТАХ(ГОЛОВНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ.
НАЦИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА.НИИ КНС)
КНИГАМИ  МЕЩАНИНОВА "СМУТНЫЕ РАССКАЗЫ  О КНС"
ФИЛЬМАМИ СТАРУХИНА
ГАЗЕТОЙ ГИДРОЛАЗЕР 
РАССЫЛКОЙ ПО Е-МАЙЛ
СОВЕЩАНИЯМИ  В ГОЛОВНОЙ ОРГАНИЗАЦИИ
СОВЕЩАНИЯМИ ПО СКАЙПУ
РАБОТОЙ НАУЧНО КОНСУЛЬТАТИВНОГО ОТДЕЛА
КНИГАМИ  АДОНИНА И ТИТОВА И ДР


СТРУКТУРА НИИ КНС
ГЕН.ДИРЕКТОР            ТИТОВ МН 
ЗАМ ДИРЕКТОРА ПО НАУКЕ   АДОНИН АС
БУХГЛТЕР ПОЗДНОВА ЕЮ

ГРУППА №1
 РУКОВОДИТЕЛЬ АДОНИН АС
РАЗРАБОТКА НОВЫХ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ КНС
ГРУППА №2 
РУКОВОДИТЕЛЬ 
ПРОИЗВОДСТВО БИС КНС 
ГРУППА №3
РУКОВОДИТЕЛЬ ТИТОВ МН
ВНЕДРЕНИЕ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТНОСТИ
ИЗВЕСТНО.ЧТО ЧЕМ ВЫШЕ ВЫХОД ГОДНЫХ ТЕМ ВЫШЕ НАДЕЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА
ТИТОВ РАЗРАБОТАЛ КОНТРОЛЬ ДЕФЕКТНОСТИ КРИСАЛЛОВ НА ПЛАСТИНЕ ИЗ ДВУХ ЧАСТЕЙ
ПЕРВАЯ ЧАСТЬ ОФОРМЛЕНА В ВИДЕ КАНДИДАТСКОЙ ДИССЕРТАЦИИ РАДАЕВА
ВТОРАЯ ЧАСТЬ РАЗРАБОТКИ НАХОДИТСЯ У ТИТОВА
  ПЕРВАЯ ЧАСТЬ ОПИСАНА В 9 СТАТЬЯХ  И ДИССЕРТАЦИИ РАДАЕВА
УСТАНОВЛЕНАЯ МОДЕЛЬ ДЕЛИТ КРИСТАЛЛЫ НА ПЛАСТИНЫ НА ГОДНЫЕ.НА ОБЛАСТЬ МИКРОЕФЕКТОВ .НАПРИМЕР ПЫЛЬ И МАКРОДЕФКТ .НАПРИМЕР СЛИШКОМ ТОНКИЙ ПОДЗАТВОРНЫЙ ОКИСЕЛ
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛНОСТЬЮ НЕ РАЗУШАЮЩАЯ И ИМЕЕТ НУЛЕВУЮ ТРУДОЕМКОСТЬ. ТАК КАК ВСЮ РАБОТУ ВЫПОЛНЯЕТ КОМПЬЮТЕР И ОН ВЫДАЕТ СПЕЦ ИНФОРМАЦИЮ О НЕДОСТАТКАХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА
ТЕХНОЛОГИЯ ОПРОБОВАНА НА БИС КНС. НА КРЕМНИЕВЫХ БИС. СТАБИИТРОНАХ .СВЕТОДИОДАХ  ФЕРИТ -ГРАНАТОВЫХ СТРУКТУРАХ И ДР
ДИССЕРТАЦИЯ И СТАТЬИ НАХОДЯТСЯ В ИНТЕРНЕТЕ В ЛЕГКОМ ДОСТУПЕ
ЛЮБОЙ ВНЕДРЯЮЩИЙ ПОЛУЧАЕТ БЕСПЛАТНУЮ КОНСУЛЬТАЦИЮ ОТ РАДАЕВА АЛКСАНДРА АНАТОЛЬВИЧА
ВТОРАЯ ЧАСТЬ -ЭТО ТВОРЧЕСКОЕ РАЗВИТИЕ ЭТОГО НАПРАВЛЕНИЯ
ПРИМЕР. В ДИССЕРТАЦИИ РАДАЕВА ВЫДАЕТСЯ 3 ПАРАМЕТРА О ТЕХНОЛОГИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ
В СОВРЕМЕННОЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ВЕРСИИ ДО 800 ПАРАМЕТРОВ. КОТОРЫЕ АВТОР ПЫТАЕТСЯ СВЯЗАТЬ С ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМИ ПОГРЕШНОСТЯМИ . ПРИЧИНАМИ ПОНИЖЕННОЙ НАДЕЖНОСТИ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ ЗАПАСОМ ПО ВСЕМ ПАРАМЕТРАМ  ВЫПУСКАЕМЫХ КРИСТАЛЛОВ НА ПЛАСТИНЕ И ВИДАМИ ДЕФЕКТНОСТИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА
ПОСЛЕ ОПРОБЫВАНИЯ ВАМИ ПЕРВОГО ЭТАПА  ТИТОВ  ГОТОВ ЗАКЛЮЧИТЬ  КОНТРАКТ НА ПРОВЕДЕНИЕ ВТОРОГО ЭТАПА
БЕЗ УВЕЛИЧЕНИЯ ТРУДОЕМКОСТИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ  КРИСТАЛЛОВ ТЕХНОЛОГ ПОЛУЧАЕТ УНИКАЛЬНУЮ ИНФОРМАЦИЮ О КАЖДОЙ ПЛАСТИНЕ И ЭТО ПОЗВОЛЯЕТ В АНАЛИЗЕ 
СРАВНИТЬ ПАРАМЕТРЫ ПЛАСТИНЫ В ОДНОЙ ПАРТИИ
СРАВНИТЬ ПАРАМЕТРЫ ПЛАСТИНЫ В РАЗНЫХ ПАРТИЯХ
СУДИТЬ О ТЕХНОЛОГИЧНОСТИ РАЗНЫХ ИЗДЕЛИЯХ ИДУЩИХ ПАРАЛЛЕЛЬНО  НА ОДНОЙ  ЛИНЕЙКИ
ПРЕДСКАЗАТЬ КАКОЙ ВЫХОД ГОДНЫХ БУДЕТ НА ВНОВЬ РАЗРАБАТЫВАЕМЫХ МИКРОСХЕМАХ ПО АНАЛИЗУ УЖЕ СЕРИЙНО ВЫПУСКАЕМЫХ АНАЛОГОВ ПРИМЕР КАКОЙ ВЫХОД ГОДНЫХ БУДЕТ НА СХЕМАХ ПАМЯТИ  ПОВЫШЕННОГО ОБЪЕМА ПАМЯТИ
ПРОАНАЛИЗИРОВАТЬ КАК ВЛИЯЕТ НОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ НА ОБЩИЙ РЕЗУЛЬТАТ
СРАВНИТЬ РЕЗУЛЬТАТЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА НА ПЛАСТИНАХ РАЗНОГО ДИАМЕТРА
ЕСЛИ НА ОДНОЙ ЛИНЕЙКЕ ЗАПУСКАЮТ БИС НА КРЕМНИИ И НА КНС ТО МОЖНО СУДИТЬ О СПЕЦИФИКИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА
ОБЪЕКТИВНО МОЖНО ПО МНОГИМ ПАРАМЕТРАМ СРАВНИВАТЬ РАЗНЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ЛИНЕЙКИ
РАЗОБРАТЬСЯ В СХЕМАХ ПАМЯТИ С РЕЗЕРВИРОВАНИЕМ
ПРОВЕСТИ ПРОСТОЙ ЭКСПЕРИМЕНТ: КОНТРОЛИРУЮТ МИКРОСХЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ ДО ОБЛУЧЕНИЯ И
ПОСЛЕ ОБЛУЧЕНИЯ ПО 800 ПАРАМЕТРАМ
ОТДЕЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ПРОВЕРКА ПРАВИЛЬНОСТИ РАБОТЫ ЗОНДОВОГО УСТРОЙСТВА НА КАЖДОЙ ПРОТЕСТИРОВАННОЙ ПЛАСТИНЕ
ПРОСТАЯ ТЕХНОЛОГИЯ :ЗОНД ОДНОВРЕМЕННО КОНТРОЛИРУЕТ РАБОЧИЕ МИКРОСХЕМЫ И ВСЕ ТЕСТОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ. РАСПОЛОЖЕННЫЕ НА ЛИНИЯХ РЕЗА. ПОЛУЧАЯ ДОПОЛНИТЕЛЬНУЮ ИНФОРМАЦИЮ ДЛЯ ТЕХНОЛОГОВ И РАЗРАБОТЧИКОВ